收藏本站
Si4834BDY
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
30
25
20
15
10
V GS = 10 V thru 5 V
4V
30
25
20
15
10
T C = 125 °C
5
3V
5
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0.040
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.030
960
C iss
0.020
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
720
480
C oss
0.010
240
C rss
0.000
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 15 V
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
8
I D = 7.5 A
1.6
I D = 7.5 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 72064
S09-0869-Rev. D, 18-May-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4840-DEMO SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
SI4842BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
SI4844-A10-GU IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS
SI4848DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
SI4866BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
SI4866DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
SI4884BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4886DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4834CDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4834CDY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:Transistor
SI4834CDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4834DY 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4834DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4834DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4834DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si4835-B30-GU 功能描述:射频接收器 EnhAM/FM/SW RX Mech tuned radios RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:GPS Receiver 封装 / 箱体:QFN-24 工作频率:4.092 MHz 工作电源电压:3.3 V 封装:Reel